차세대메로리 썸네일형 리스트형 차세대 메모리 적층기술 전쟁 스타트 차세대 메모리 적층기술 전쟁 스타트 '차세대메모리 적층기술 전쟁이 시작됐다.' 전세계 메모리 기업들에게 새로운 경쟁력 확보기술로 미세공정기술,수율,가격에 이어 ‘얼마나 더 많은 칩을 쌓아올릴 수 있는지’가 새로운 경쟁요소로 등장했다. 세계 D램 업계 매출기준 1, 2위인 삼성전자, 하이닉스에 이어 세계 3위인 일본 엘피다가 27일 새로운 적층 기술을 사용한 D램의 시제품 생산에 들어갔다고 발표하면서 메모리 적층기술 본격경쟁이 시작됐다. 관통전극(Through Silicon Via, TSV) 기술이라고 알려진 차세대 메모리 적층기술은 수십 마이크로미터(㎛) 두께로 만든 메모리칩에 직접 구멍을 뚫고, 수직으로 쌓아올린 뒤 구멍에 전기가 통하는 물질을 넣어 연결하는 패키징 방법이다. ▲ TSV기술을 활용해 4.. 더보기 이전 1 다음
