"삼성전자, 반도체전쟁 최후승자 된다"

"삼성전자, 반도체전쟁 최후승자 된다"

 이건희 삼성전자 회장이 반도체 사업의 최후 승자가 되기 위해 반도체 부문 투자와 기술 개발의 고삐를 더욱 죈다. 이 회장은 "앞으로 더욱 거세질 반도체 업계발(發) 태풍에 대비해야 한다"고 강조하고 삼성전자가 반도체 치킨게임의 '종결자'가 되겠다는 의지를 확고히 했다. 

삼성전자는 전 세계 반도체 업체 가운데 처음으로 20나노급 D램 양산을 시작해 원가 경쟁력을 40% 이상 향상시켰다. 이 공정을 세계 최대 규모 공장인 16라인에 적용하고 경기 둔화에도 오히려 반도체에 대한 투자를 늘려 독주를 이어갈 계획이다. 

삼성전자는 22일 경기 화성캠퍼스에서 '메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램ㆍ플래시 양산' 기념 행사를 개최했다. 이날 행사에는 삼성전자의 이 회장과 권오현 DS사업총괄 사장, 이재용 사장 등 주요 경영진과 소니의 나카가와 유타카 부회장을 비롯한 글로벌 정보기술(IT) 업체 관계자 500여 명이 참석했다. 특히 이 회장은 지난해 5월 경영 복귀 후 16라인 기공식 현장을 첫 방문지로 삼은 데 이어 가동식까지 참석함으로써 반도체 사업에 대한 각별한 애정을 이번에도 드러냈다. 

메모리 16라인은 약 6만평 면적에 12층 건물로 세계 최대 규모다. 삼성전자는 16라인에서 세계 최초로 20나노급 2Gb(기가비트) D램 양산을 시작했다. 20나노급 D램은 지난해 7월 선보인 30나노급과 동등한 성능을 구현하면서도 생산성은 약 50% 정도 높다. 반도체 회로선폭이 가늘어지는 만큼 웨이퍼(반도체 원판)를 가공해 얻을 수 있는 반도체 칩의 양도 늘어난다. 

삼성전자는 20나노급 기술을 적용한 다양한 제품을 개발해 내년 이후에는 4GBㆍ8GBㆍ16GBㆍ32GB 등을 본격 양산할 계획이다. 

하이닉스는 올해 1분기 30나노 공정으로 양산을 시작했지만 수량은 3분기에 들어서야 점진적으로 증대하고 있다. 6개월가량으로 좁혔던 기술 격차가 삼성전자의 20나노 양산으로 다시 9개월 이상 벌어진 상태다. 세계 3위 업체인 일본 엘피다는 지난 5월 갑자기 8월까지 20나노 공정을 적용하겠다고 발표했지만 아직까지도 시장에 제품을 내놓지 못하고 있어 기술 격차는 1년 이상 벌어진 것으로 관측된다. 

삼성전자는 최근 수요가 점점 늘고 있는 낸드 플래시도 20나노급으로 생산하기 시작했다. 특히 모바일 기기에 들어가는 32GB 이상 제품과 128GB 이상 대용량 고성능 모바일 솔루션 제품 비중을 대폭 확대한다. 내년에는 두 배 이상의 대용량 제품을 선보여 모바일 시장에서 기술 격차를 더욱 벌릴 것으로 예상된다. 삼성전자는 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산할 계획으로 프리미엄급 반도체 시장에서 고수익 전략에 집중할 방침이다. 

삼성은 내년에도 올해와 비슷한 수준인 10조원 이상을 설비 투자할 전망이다. 일부에서는 최대 15조원 규모 설비 투자를 통해 확고한 우위를 확보할 전략을 펼칠 것이란 관측도 나온다. 국내에서는 16라인을 안착시키는 동시에 조기에 17라인을 건설하며, 미국 오스틴 공장 등 투자도 급격히 늘려 비메모리와 메모리 분야 투자를 동시에 늘려나갈 가능성이 높아 보인다. 

이 회장은 이날 행사에서 최초로 생산된 반도체 웨이퍼를 전달받고 "반도체 업계에 몰아치는 거센 파도 속에서도 메모리 16라인의 성공적인 가동과 세계 최초 20나노급 D램 양산 성공을 위해 혼신의 힘을 기울인 임직원에게 감사한다"고 말했다. 

■<용어설명> 

나노(NANO) : 1나노미터(㎚)는 10억분의 1ｍ다. 즉 사람 머리카락의 1만분의 1 굵기로 반도체 회로를 그려넣는 초미세 가공기술이다. 반도체는 회로선 폭이 가늘어질수록 원가가 절감되고 에너지 효율도 높아진다. 

[고재만 기자 / 이동인 기자] 

출처: 매일경제