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삼성전자

삼성전자·SKT, 4세대 LTE 통신서비스 주도 삼성전자·SKT, 4세대 LTE 통신서비스 주도 삼성, USB타입 모뎀 단말기 제조…9월 LTE 스마트폰 출시 SKT, 서울에 기지국 2381대 구축…지하 어디서든지 완벽 서비스 스마트폰 사용자가 급속하게 늘어나고 더 빠른 데이터 전송에 대한 요구가 커지면서 세계 각국의 이동통신사들이 4세대(4G) 롱텀에볼루션(LTE) 서비스 도입을 서두르고 있다. LTE는 데이터 전송 속도가 하향 최대 75Mbps로 3세대(3G) WCDMA망보다 5배 이상 빠르다. 이를 이용하면 끊김 없는 고화질의 영상통화가 가능하고 CD 1장 분량의 800MB 용량의 영화 1편을 내려받는 데도 2분여밖에 걸리지 않는다. 스웨덴의 이동통신사인 텔리아소네라가 2009년 12월 세계 최초로 LTE 상용 서비스를 시작한 이래 4월 말 기준.. 더보기
“오는 9월, 7배 빠른 삼성 스마트폰 등장” “오는 9월, 7배 빠른 삼성 스마트폰 등장” 삼성전자가 업계 최대 속력을 가진 4G 스마트폰을 출시할 것으로 보인다. 최근 3G 망에서 4G 망으로 기술이 진화해가자, 삼성은 최대 속도의 4G 전용 스마트폰을 내놓는 것이다. 개발 완료된 ‘셀록스’, 오는 9월 SKT 통해 출시 31일 업계 관계자에 따르면 삼성전자는 오는9월께 4G 롱텀에볼루션(LTE) 스마트폰 '셀록스(Celoxㆍ개발 프로젝트명)'를 출시한다. 3G 스마트폰으로 갤럭시 시리즈가 있었다면 4G에선 셀록스가 브랜드를 이어간다. 이 관계자는 삼성전자가 LTE 스마트폰 개발을 완료한 상태라고 말했다. 오는 9월께부터 SKT를 통해 첫 출시가 된다는 것. 지난 1일부터 LTE 서비스를 시작한 SKT도 오는 가을께 LTE 전용 스마트폰을 출시한.. 더보기
낸드 1위 삼성, 도시바 격차 더 벌려 낸드 1위 삼성, 도시바 격차 더 벌려 바짝 좁혀졌던 삼성전자, 도시바 간 낸드플래시 점유율 격차가 지난 2분기 다시 큰 폭으로 벌어졌다. 삼성전자와 함께 하이닉스도 선전해 2분기 국내업체는 단연 낸드플래시 시장에서 돋보였다. 하이닉스도 마이크론에게 빼앗겼던 3위를 되찾은 것으로 조사됐다. ■삼성 쫓던 도시바, 일본 지진에 발목 지난달 29일 D램익스체인지가 발표한 낸드플래시 2분기 점유율 보고서에 따르면 2분기 도시바, 삼성전자 시장점유율 격차는 12.3%p다. 도시바가 일본 지진 여파로 주춤한 가운데 삼성전자가 치고 나갔다. 지난 1분기 삼성전자, 도시바 점유율은 D램익스체인지는 1.1%p 차, 아이서플라이는 0.3%p 차이로 봤다. 양사 점유율 격차는 지난해 3분기 4%에서 꾸준히 줄어드는 추세였다.. 더보기
뻥친 엘피다 "25나노급 7월 양산"한다더니 샘플조차 고객사에 전달안해 뻥친 엘피다 "25나노급 7월 양산"한다더니 샘플조차 고객사에 전달안해 샘플 시험만 2~4개월 걸려, 업계 "연내 성공도 불투명" 삼성전자보다 기술 1년 뒤져… 대규모 자금조달 위한 허풍? 세계 3위의 메모리 반도체 업체인 일본 엘피다가 지난 5월 "7월부터 회로 선폭(간격)을 25나노미터(1나노미터는 10억분의 1미터)까지 줄인 D램 반도체를 세계 최초로 양산하겠다"고 호언장담했으나 결국 허세(虛勢)로 드러났다. '19년 만의 한·일 반도체 기술 재역전'이라며 호들갑을 떨던 일본 언론도 잠잠해졌다. 일본은 1980년대 메모리 반도체 시장을 주도하다 1992년 삼성전자가 세계 최초로 64메가 D램을 개발한 이래 신기술 개발과 시장점유율에서 줄곧 한국에 뒤지고 있다. ◆25나노급 반도체 양산한다더니…침묵하.. 더보기
차세대 메모리 적층기술 전쟁 스타트 차세대 메모리 적층기술 전쟁 스타트 '차세대메모리 적층기술 전쟁이 시작됐다.' 전세계 메모리 기업들에게 새로운 경쟁력 확보기술로 미세공정기술,수율,가격에 이어 ‘얼마나 더 많은 칩을 쌓아올릴 수 있는지’가 새로운 경쟁요소로 등장했다. 세계 D램 업계 매출기준 1, 2위인 삼성전자, 하이닉스에 이어 세계 3위인 일본 엘피다가 27일 새로운 적층 기술을 사용한 D램의 시제품 생산에 들어갔다고 발표하면서 메모리 적층기술 본격경쟁이 시작됐다. 관통전극(Through Silicon Via, TSV) 기술이라고 알려진 차세대 메모리 적층기술은 수십 마이크로미터(㎛) 두께로 만든 메모리칩에 직접 구멍을 뚫고, 수직으로 쌓아올린 뒤 구멍에 전기가 통하는 물질을 넣어 연결하는 패키징 방법이다. ▲ TSV기술을 활용해 4.. 더보기

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